TK4P60DB(T6RSS-Q)
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| Numero parte | TK4P60DB(T6RSS-Q) |
| PNEDA Part # | TK4P60DB-T6RSS-Q |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.028 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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TK4P60DB(T6RSS-Q) Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TK4P60DB(T6RSS-Q) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK4P60DB(T6RSS-Q) Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | π-MOSVII |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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