TK12P60W,RVQ
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Numero parte | TK12P60W,RVQ |
PNEDA Part # | TK12P60W-RVQ |
Descrizione | MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.436 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 26 - dic 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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TK12P60W Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | TK12P60W,RVQ |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK12P60W Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | DTMOSIV |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
Funzione FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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