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THGBMJG9C8LBAU8

THGBMJG9C8LBAU8

Solo per riferimento

Numero parte THGBMJG9C8LBAU8
PNEDA Part # THGBMJG9C8LBAU8
Descrizione 512GBIT V5.1 I TEMP EMMC
Produttore Toshiba Memory America, Inc.
Prezzo unitario
1 ---------- $644,2259
50 ---------- $614,0278
100 ---------- $583,8297
200 ---------- $553,6317
400 ---------- $528,4666
500 ---------- $503,3015
Disponibile 274
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

THGBMJG9C8LBAU8 Risorse

Brand Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTHGBMJG9C8LBAU8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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THGBMJG9C8LBAU8 Specifiche

ProduttoreToshiba Memory America, Inc.
Seriee•MMC™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoriaeMMC
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia153-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore153-FBGA (11.5x13)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

149-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

149-WFBGA (8x9.5)

MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

MT29F128G08CFAAAWP:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

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