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THGBMHG7C2LBAW7

THGBMHG7C2LBAW7

Solo per riferimento

Numero parte THGBMHG7C2LBAW7
PNEDA Part # THGBMHG7C2LBAW7
Descrizione IC FLASH MEM MMC 153FBGA
Produttore Toshiba Memory America, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.410
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

THGBMHG7C2LBAW7 Risorse

Brand Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTHGBMHG7C2LBAW7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
THGBMHG7C2LBAW7, THGBMHG7C2LBAW7 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 2.312,2 KB)
PDFTHGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Copertura
THGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Pagina 2 THGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Pagina 3 THGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Pagina 4 THGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Pagina 5 THGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Pagina 6 THGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Pagina 7 THGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Pagina 8 THGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Pagina 9 THGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Pagina 10 THGBMHG8C4LBAW7 Datasheet Pagina 11

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  • THGBMHG7C2LBAW7 Distributor

THGBMHG7C2LBAW7 Specifiche

ProduttoreToshiba Memory America, Inc.
Serie-
Tipo di memoria-
Formato memoria-
Tecnologia-
Dimensione della memoria-
Interfaccia di memoria-
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

I prodotti a cui potresti essere interessato

S29GL01GS11TFB010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

7005L55J8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PLCC (24.21x24.21)

AS4C256M8D3-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 90°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (8x10.5)

CY7C1352G-133AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

STK14C88-3NF35ITR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

Venduto di recente

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CAP TANT POLY 330UF 20% 16V 2924

B32921C3104M000

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TDK-EPCOS

CAP FILM 0.1UF 20% 305VAC RADIAL

CKR05BX104KR

CKR05BX104KR

CAP CER 0.1UF 50V BX RADIAL

T491X227K016AT

T491X227K016AT

KEMET

CAP TANT 220UF 10% 16V 2917

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

TAJD107K020RNJ

TAJD107K020RNJ

CAP TANT 100UF 10% 20V 2917