TC58BYG2S0HBAI4
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| Numero parte | TC58BYG2S0HBAI4 |
| PNEDA Part # | TC58BYG2S0HBAI4 |
| Descrizione | 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE |
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.584 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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TC58BYG2S0HBAI4 Risorse
| Brand | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TC58BYG2S0HBAI4 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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TC58BYG2S0HBAI4 Specifiche
| Produttore | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | Benand™ |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Dimensione della memoria | 4G (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 25ns |
| Tempo di accesso | 25ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 63-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-TFBGA (9x11) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 3ms Tempo di accesso 90ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
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