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TC4422AVMF713

TC4422AVMF713

Solo per riferimento

Numero parte TC4422AVMF713
PNEDA Part # TC4422AVMF713
Descrizione IC MOSFET DRVR 9A N-INV 8DFN
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.694
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

TC4422AVMF713 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteTC4422AVMF713
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver

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TC4422AVMF713 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 18V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)10A, 10A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)38ns, 33ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN-S (6x5)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

IRS2330STRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

ISL89165FBECZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

2.4V, 9.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

UC2708NE

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

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Produttore

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Serie

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Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT

Tensione - Alimentazione

14.5V ~ 15.5V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

35A, 35A

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

9ns, 30ns

Temperatura di esercizio

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