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SUP90N06-5M0P-E3

SUP90N06-5M0P-E3

Solo per riferimento

Numero parte SUP90N06-5M0P-E3
PNEDA Part # SUP90N06-5M0P-E3
Descrizione MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.184
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Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SUP90N06-5M0P-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSUP90N06-5M0P-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
SUP90N06-5M0P-E3, SUP90N06-5M0P-E3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 76,38 KB)
PDFSUP90N06-5M0P-E3 Datasheet Copertura
SUP90N06-5M0P-E3 Datasheet Pagina 2 SUP90N06-5M0P-E3 Datasheet Pagina 3 SUP90N06-5M0P-E3 Datasheet Pagina 4 SUP90N06-5M0P-E3 Datasheet Pagina 5 SUP90N06-5M0P-E3 Datasheet Pagina 6

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SUP90N06-5M0P-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C90A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6190pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.75W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

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FDP8030L

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10500pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

187W (Tc)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

FDMS86369-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2470pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

107W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

DMP1022UWS-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2847pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN3020-8

Pacchetto / Custodia

8-VDFN

RTQ020N05TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

600mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT6 (SC-95)

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

NTNS3A65PZT5G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

281mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

44pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

155mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

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