SUM33N20-60P-E3
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| Numero parte | SUM33N20-60P-E3 |
| PNEDA Part # | SUM33N20-60P-E3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.290 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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SUM33N20-60P-E3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SUM33N20-60P-E3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SUM33N20-60P-E3, SUM33N20-60P-E3 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 87,58 KB)
  
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SUM33N20-60P-E3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2735pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.12W (Ta), 156W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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