STW10N95K5
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| Numero parte | STW10N95K5 |
| PNEDA Part # | STW10N95K5 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 950V 8A TO-247 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 15.936 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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STW10N95K5 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STW10N95K5 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STW10N95K5 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH5™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 950V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4350pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 5-LFPAK Pacchetto / Custodia SC-100, SOT-669 |
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