STU3LN80K5
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| Numero parte | STU3LN80K5 |
| PNEDA Part # | STU3LN80K5 |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.192 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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STU3LN80K5 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STU3LN80K5 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STU3LN80K5 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ K5 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.63nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 102pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70.8nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4426pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 211W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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