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STS7N3LLH6

STS7N3LLH6

Solo per riferimento

Numero parte STS7N3LLH6
PNEDA Part # STS7N3LLH6
Descrizione MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.600
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STS7N3LLH6 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTS7N3LLH6
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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STS7N3LLH6 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

Polar™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1207pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IXTT12N150

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3720pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

890W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

TPC8032-H(TE12LQM)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2846pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP (5.5x6.0)

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

DMP2066LVT-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2990pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

MVMBF0201NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

225mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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