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STS4DPF20L

STS4DPF20L

Solo per riferimento

Numero parte STS4DPF20L
PNEDA Part # STS4DPF20L
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.904
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STS4DPF20L Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTS4DPF20L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
STS4DPF20L, STS4DPF20L Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 252,08 KB)
PDFSTS4DPF20L Datasheet Copertura
STS4DPF20L Datasheet Pagina 2 STS4DPF20L Datasheet Pagina 3 STS4DPF20L Datasheet Pagina 4 STS4DPF20L Datasheet Pagina 5 STS4DPF20L Datasheet Pagina 6 STS4DPF20L Datasheet Pagina 7 STS4DPF20L Datasheet Pagina 8

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STS4DPF20L Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 25V
Potenza - Max1.6W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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ON Semiconductor

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3450pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DMC3401LDW-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IRF7317TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A, 5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Infineon Technologies

Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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