STP9NM60N
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Numero parte | STP9NM60N |
PNEDA Part # | STP9NM60N |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220 |
Produttore | STMicroelectronics |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 20.832 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 27 - gen 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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STP9NM60N Risorse
Brand | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | STP9NM60N |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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STP9NM60N Specifiche
Produttore | STMicroelectronics |
Serie | MDmesh™ II |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 745mOhm @ 3.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 452pF @ 50V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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