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STP8NM50FP

STP8NM50FP

Solo per riferimento

Numero parte STP8NM50FP
PNEDA Part # STP8NM50FP
Descrizione MOSFET N-CH 550V 8A TO-220FP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STP8NM50FP Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTP8NM50FP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STP8NM50FP, STP8NM50FP Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 290,06 KB)
PDFSTP8NM50FP Datasheet Copertura
STP8NM50FP Datasheet Pagina 2 STP8NM50FP Datasheet Pagina 3 STP8NM50FP Datasheet Pagina 4 STP8NM50FP Datasheet Pagina 5 STP8NM50FP Datasheet Pagina 6 STP8NM50FP Datasheet Pagina 7 STP8NM50FP Datasheet Pagina 8 STP8NM50FP Datasheet Pagina 9 STP8NM50FP Datasheet Pagina 10 STP8NM50FP Datasheet Pagina 11

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STP8NM50FP Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)550V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds415pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)25W (Tc)
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 3.7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 3.7V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

Pacchetto / Custodia

4-XFBGA

NTD20P06L-1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 7.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

65W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

STD20NF20

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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