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STP55NF06L

STP55NF06L

Solo per riferimento

Numero parte STP55NF06L
PNEDA Part # STP55NF06L
Descrizione MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.924
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STP55NF06L Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTP55NF06L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STP55NF06L, STP55NF06L Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 332,95 KB)
PDFSTP55NF06L Datasheet Copertura
STP55NF06L Datasheet Pagina 2 STP55NF06L Datasheet Pagina 3 STP55NF06L Datasheet Pagina 4 STP55NF06L Datasheet Pagina 5 STP55NF06L Datasheet Pagina 6 STP55NF06L Datasheet Pagina 7 STP55NF06L Datasheet Pagina 8 STP55NF06L Datasheet Pagina 9 STP55NF06L Datasheet Pagina 10 STP55NF06L Datasheet Pagina 11

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STP55NF06L Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C55A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)95W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 55W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

NTTFS5820NLTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 37A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1462pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.7W (Ta), 33W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

IRFH4209DTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FASTIRFET™, HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Ta), 260A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4620pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

BFL4004

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 3.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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IRL3714TR

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

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670pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

47W (Tc)

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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