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STL66DN3LLH5

STL66DN3LLH5

Solo per riferimento

Numero parte STL66DN3LLH5
PNEDA Part # STL66DN3LLH5
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 78.5A PWRFLAT56
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.492
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STL66DN3LLH5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTL66DN3LLH5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
STL66DN3LLH5, STL66DN3LLH5 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 934,2 KB)
PDFSTL66DN3LLH5 Datasheet Copertura
STL66DN3LLH5 Datasheet Pagina 2 STL66DN3LLH5 Datasheet Pagina 3 STL66DN3LLH5 Datasheet Pagina 4 STL66DN3LLH5 Datasheet Pagina 5 STL66DN3LLH5 Datasheet Pagina 6 STL66DN3LLH5 Datasheet Pagina 7 STL66DN3LLH5 Datasheet Pagina 8 STL66DN3LLH5 Datasheet Pagina 9 STL66DN3LLH5 Datasheet Pagina 10 STL66DN3LLH5 Datasheet Pagina 11

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STL66DN3LLH5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ V
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C78.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
Potenza - Max72W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (5x6)

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3333pF @ 10V

Potenza - Max

1.45W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 15V

Potenza - Max

1.3W, 1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

540mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.04A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 10V

Potenza - Max

890mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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2 N-Channel (Dual)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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