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STL65DN3LLH5

STL65DN3LLH5

Solo per riferimento

Numero parte STL65DN3LLH5
PNEDA Part # STL65DN3LLH5
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.020
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STL65DN3LLH5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTL65DN3LLH5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
STL65DN3LLH5, STL65DN3LLH5 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 511,12 KB)
PDFSTL65DN3LLH5 Datasheet Copertura
STL65DN3LLH5 Datasheet Pagina 2 STL65DN3LLH5 Datasheet Pagina 3 STL65DN3LLH5 Datasheet Pagina 4 STL65DN3LLH5 Datasheet Pagina 5 STL65DN3LLH5 Datasheet Pagina 6 STL65DN3LLH5 Datasheet Pagina 7 STL65DN3LLH5 Datasheet Pagina 8 STL65DN3LLH5 Datasheet Pagina 9 STL65DN3LLH5 Datasheet Pagina 10 STL65DN3LLH5 Datasheet Pagina 11

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STL65DN3LLH5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ V
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
Potenza - Max60W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (5x6)

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA, 330mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.23nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 10V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

370mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 0.9V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V

Potenza - Max

120mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2152pF @ 10V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Vgs (th) (Max) @ Id

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