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STL36DN6F7

STL36DN6F7

Solo per riferimento

Numero parte STL36DN6F7
PNEDA Part # STL36DN6F7
Descrizione MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.652
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STL36DN6F7 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTL36DN6F7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
STL36DN6F7, STL36DN6F7 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 889,34 KB)
PDFSTL36DN6F7 Datasheet Copertura
STL36DN6F7 Datasheet Pagina 2 STL36DN6F7 Datasheet Pagina 3 STL36DN6F7 Datasheet Pagina 4 STL36DN6F7 Datasheet Pagina 5 STL36DN6F7 Datasheet Pagina 6 STL36DN6F7 Datasheet Pagina 7 STL36DN6F7 Datasheet Pagina 8 STL36DN6F7 Datasheet Pagina 9 STL36DN6F7 Datasheet Pagina 10 STL36DN6F7 Datasheet Pagina 11

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STL36DN6F7 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds420pF @ 30V
Potenza - Max58W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (5x6)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 10V

Potenza - Max

1.65W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

Potenza - Max

125mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 15V, 807pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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