STL16N1VH5
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| Numero parte | STL16N1VH5 |
| PNEDA Part # | STL16N1VH5 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.464 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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STL16N1VH5 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STL16N1VH5 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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STL16N1VH5 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | STripFET™ V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 500mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.5nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2085pF @ 12V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 50W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2361pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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