STH275N8F7-6AG
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| Numero parte | STH275N8F7-6AG |
| PNEDA Part # | STH275N8F7-6AG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.320 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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STH275N8F7-6AG Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STH275N8F7-6AG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
STH275N8F7-6AG, STH275N8F7-6AG Datasheet
(Totale pagine: 18, Dimensioni: 883,38 KB)
  
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STH275N8F7-6AG Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 193nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 315W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | H2PAK-6 |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
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