STGP4M65DF2
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| Numero parte | STGP4M65DF2 |
| PNEDA Part # | STGP4M65DF2 |
| Descrizione | IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 16.482 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGP4M65DF2 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGP4M65DF2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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STGP4M65DF2 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | M |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 8A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 16A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Potenza - Max | 68W |
| Switching Energy | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 15.2nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 12ns/86ns |
| Condizione di test | 400V, 4A, 47Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 133ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
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