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STGP30H60DF

STGP30H60DF

Solo per riferimento

Numero parte STGP30H60DF
PNEDA Part # STGP30H60DF
Descrizione IGBT 600V 60A 260W TO220
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 14.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STGP30H60DF Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTGP30H60DF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
STGP30H60DF, STGP30H60DF Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 1.944,67 KB)
PDFSTGB30H60DF Datasheet Copertura
STGB30H60DF Datasheet Pagina 2 STGB30H60DF Datasheet Pagina 3 STGB30H60DF Datasheet Pagina 4 STGB30H60DF Datasheet Pagina 5 STGB30H60DF Datasheet Pagina 6 STGB30H60DF Datasheet Pagina 7 STGB30H60DF Datasheet Pagina 8 STGB30H60DF Datasheet Pagina 9 STGB30H60DF Datasheet Pagina 10 STGB30H60DF Datasheet Pagina 11

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STGP30H60DF Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
Potenza - Max260W
Switching Energy350µJ (on), 400µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge105nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C50ns/160ns
Condizione di test400V, 30A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)110ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220

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IRG7CH73K10EF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 20A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

360nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

63ns/267ns

Condizione di test

600V, 75A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

RJP5001APP-M0#T2

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

10V @ 12V, 300A

Potenza - Max

45W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/200ns

Condizione di test

300V, 300A, 30Ohm, 12V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FL

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

54A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

240µJ (on), 110µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

18nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/77ns

Condizione di test

400V, 10A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

76A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 30A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

600V, 30A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXDH)

FGHL50T65SQ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

268W

Switching Energy

410µJ (on), 88µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

99nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/93ns

Condizione di test

400V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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