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STGD10NC60KDT4

STGD10NC60KDT4

Solo per riferimento

Numero parte STGD10NC60KDT4
PNEDA Part # STGD10NC60KDT4
Descrizione IGBT 600V 20A 62W DPAK
Produttore STMicroelectronics
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Disponibile 22.176
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STGD10NC60KDT4 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTGD10NC60KDT4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
STGD10NC60KDT4, STGD10NC60KDT4 Datasheet (Totale pagine: 30, Dimensioni: 1.653,19 KB)
PDFSTGD10NC60KT4 Datasheet Copertura
STGD10NC60KT4 Datasheet Pagina 2 STGD10NC60KT4 Datasheet Pagina 3 STGD10NC60KT4 Datasheet Pagina 4 STGD10NC60KT4 Datasheet Pagina 5 STGD10NC60KT4 Datasheet Pagina 6 STGD10NC60KT4 Datasheet Pagina 7 STGD10NC60KT4 Datasheet Pagina 8 STGD10NC60KT4 Datasheet Pagina 9 STGD10NC60KT4 Datasheet Pagina 10 STGD10NC60KT4 Datasheet Pagina 11

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STGD10NC60KDT4 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 5A
Potenza - Max62W
Switching Energy55µJ (on), 85µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge19nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C17ns/72ns
Condizione di test390V, 5A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)22ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Potenza - Max

428W

Switching Energy

2mJ (on), 2.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

470nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/330ns

Condizione di test

400V, 75A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3-41

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

22A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

20.4nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXGA)

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

67A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Potenza - Max

272W

Switching Energy

2.15µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

155nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/280ns

Condizione di test

800V, 25A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 32A

Potenza - Max

350W

Switching Energy

11mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

155nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

45ns/270ns

Condizione di test

1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Gate Charge

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