STGB10M65DF2
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| Numero parte | STGB10M65DF2 |
| PNEDA Part # | STGB10M65DF2 |
| Descrizione | IGBT 650V 10A D2PAK |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.598 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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STGB10M65DF2 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | STGB10M65DF2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
STGB10M65DF2, STGB10M65DF2 Datasheet
(Totale pagine: 19, Dimensioni: 1.136,11 KB)
  
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STGB10M65DF2 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 20A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Potenza - Max | 115W |
| Switching Energy | 120µJ (on), 270µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 28nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 19ns/91ns |
| Condizione di test | 400V, 10A, 22Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 96ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
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