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STF26NM60N

STF26NM60N

Solo per riferimento

Numero parte STF26NM60N
PNEDA Part # STF26NM60N
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 14.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STF26NM60N Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTF26NM60N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STF26NM60N, STF26NM60N Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 1.039,51 KB)
PDFSTB26NM60N Datasheet Copertura
STB26NM60N Datasheet Pagina 2 STB26NM60N Datasheet Pagina 3 STB26NM60N Datasheet Pagina 4 STB26NM60N Datasheet Pagina 5 STB26NM60N Datasheet Pagina 6 STB26NM60N Datasheet Pagina 7 STB26NM60N Datasheet Pagina 8 STB26NM60N Datasheet Pagina 9 STB26NM60N Datasheet Pagina 10 STB26NM60N Datasheet Pagina 11

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STF26NM60N Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs165mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)35W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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NVMTS0D7N06CTXG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60.5A (Ta), 464A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.72mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11535pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W (Ta), 294.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFNW (8.3x8.4)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

AOT482L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 105A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4870pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

141nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8061pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

306W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

RJK1575DPA-00#J5A

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

65W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

WPAK(3F) (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

TK62J60W,S1VQ

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

61.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 30.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 3.1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6500pF @ 300V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

400W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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