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STF15N65M5

STF15N65M5

Solo per riferimento

Numero parte STF15N65M5
PNEDA Part # STF15N65M5
Descrizione MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 12.198
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STF15N65M5 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTF15N65M5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STF15N65M5, STF15N65M5 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 919,5 KB)
PDFSTF15N65M5 Datasheet Copertura
STF15N65M5 Datasheet Pagina 2 STF15N65M5 Datasheet Pagina 3 STF15N65M5 Datasheet Pagina 4 STF15N65M5 Datasheet Pagina 5 STF15N65M5 Datasheet Pagina 6 STF15N65M5 Datasheet Pagina 7 STF15N65M5 Datasheet Pagina 8 STF15N65M5 Datasheet Pagina 9 STF15N65M5 Datasheet Pagina 10 STF15N65M5 Datasheet Pagina 11

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STF15N65M5 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ V
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds816pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

142nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11659pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

333W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FQP3N80

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

107W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SI3453DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

AON6562

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Ta), 32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

SSM3K336R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVII-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

126pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23F

Pacchetto / Custodia

SOT-23-3 Flat Leads

Venduto di recente

74LCX125MTC

74LCX125MTC

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V 14TSSOP

AMT102-V

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CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR

74438356150

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Wurth Electronics

FIXED IND 15UH 1.9A 230MOHM SMD

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Micro Commercial Co

TVS DIODE 3.3V 12V SOD523

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Analog Devices

IC DAC 8BIT V-OUT 20SOIC

IM03GR

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TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY TELECOM DPDT 2A 5VDC

9ZXL0831EKILF

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IDT, Integrated Device Technology

DB800ZL

CY62187EV30LL-55BAXI

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Cypress Semiconductor

IC SRAM 64M PARALLEL 48FBGA

AEDS-8011-A11

AEDS-8011-A11

Broadcom

ROTARY ENCODER OPTICAL 500PPR

CY37064P44-125JXC

CY37064P44-125JXC

Cypress Semiconductor

IC CPLD 64MC 10NS 44PLCC

WSH28185L000FEA

WSH28185L000FEA

Vishay Dale

RES 0.005 OHM 1% 5W 2818

P6KE150A

P6KE150A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 128V 207V DO15