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STD26NF10

STD26NF10

Solo per riferimento

Numero parte STD26NF10
PNEDA Part # STD26NF10
Descrizione MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 51.402
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STD26NF10 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTD26NF10
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STD26NF10, STD26NF10 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 385,21 KB)
PDFSTD26NF10 Datasheet Copertura
STD26NF10 Datasheet Pagina 2 STD26NF10 Datasheet Pagina 3 STD26NF10 Datasheet Pagina 4 STD26NF10 Datasheet Pagina 5 STD26NF10 Datasheet Pagina 6 STD26NF10 Datasheet Pagina 7 STD26NF10 Datasheet Pagina 8 STD26NF10 Datasheet Pagina 9 STD26NF10 Datasheet Pagina 10 STD26NF10 Datasheet Pagina 11

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  • STD26NF10 Distributor

STD26NF10 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C25A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1550pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

39W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

AON7436

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 23A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 16.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (3x3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

SUD08P06-155L-T4E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta), 20.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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