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STB14NK60ZT4

STB14NK60ZT4

Solo per riferimento

Numero parte STB14NK60ZT4
PNEDA Part # STB14NK60ZT4
Descrizione MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.582
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
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STB14NK60ZT4 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTB14NK60ZT4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STB14NK60ZT4, STB14NK60ZT4 Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 975,84 KB)
PDFSTP14NK60ZFP Datasheet Copertura
STP14NK60ZFP Datasheet Pagina 2 STP14NK60ZFP Datasheet Pagina 3 STP14NK60ZFP Datasheet Pagina 4 STP14NK60ZFP Datasheet Pagina 5 STP14NK60ZFP Datasheet Pagina 6 STP14NK60ZFP Datasheet Pagina 7 STP14NK60ZFP Datasheet Pagina 8 STP14NK60ZFP Datasheet Pagina 9 STP14NK60ZFP Datasheet Pagina 10 STP14NK60ZFP Datasheet Pagina 11

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STB14NK60ZT4 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSuperMESH™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13.5A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2220pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)160W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 350µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BUK9226-75A,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3120pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

114W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AO3407L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SUD20N10-66L-GE3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16.9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

66mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 41.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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