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STB13NM50N

STB13NM50N

Solo per riferimento

Numero parte STB13NM50N
PNEDA Part # STB13NM50N
Descrizione MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.290
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
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STB13NM50N Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTB13NM50N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
STB13NM50N, STB13NM50N Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 578,72 KB)
PDFSTB13NM50N Datasheet Copertura
STB13NM50N Datasheet Pagina 2 STB13NM50N Datasheet Pagina 3 STB13NM50N Datasheet Pagina 4 STB13NM50N Datasheet Pagina 5 STB13NM50N Datasheet Pagina 6 STB13NM50N Datasheet Pagina 7 STB13NM50N Datasheet Pagina 8 STB13NM50N Datasheet Pagina 9 STB13NM50N Datasheet Pagina 10 STB13NM50N Datasheet Pagina 11

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STB13NM50N Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds960pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPC218N04N3X1SA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Sawn on foil

Pacchetto / Custodia

Die

DMT3003LFG-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2370pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 62W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

NTMFS4937NCT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2516pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

480W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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