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SSURHD8560W1T4G

SSURHD8560W1T4G

Solo per riferimento

Numero parte SSURHD8560W1T4G
PNEDA Part # SSURHD8560W1T4G
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $18,2043
100 ---------- $17,3510
250 ---------- $16,4976
500 ---------- $15,6443
750 ---------- $14,9332
1.000 ---------- $14,2221
Disponibile 4.433
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SSURHD8560W1T4G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSURHD8560W1T4G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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SSURHD8560W1T4G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.7V @ 5A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2.3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.34V @ 7A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

700µA @ 1800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Radial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

HS1AL RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

160CMQ035

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

160A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

860mV @ 160A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

2600pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-249AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-249AA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

PMEG060V030EPDZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

530mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

12ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

350pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

CFP15

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

BYV29F-300HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

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ITO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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