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SST39WF1601-90-4I-B3KE-T

SST39WF1601-90-4I-B3KE-T

Solo per riferimento

Numero parte SST39WF1601-90-4I-B3KE-T
PNEDA Part # SST39WF1601-90-4I-B3KE-T
Descrizione IC FLASH 16M PARALLEL 48TFBGA
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 2.988
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SST39WF1601-90-4I-B3KE-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST39WF1601-90-4I-B3KE-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST39WF1601-90-4I-B3KE-T, SST39WF1601-90-4I-B3KE-T Datasheet (Totale pagine: 29, Dimensioni: 807,14 KB)
PDFSST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Copertura
SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 2 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 3 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 4 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 5 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 6 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 7 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 8 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 9 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 10 SST39WF1601-90-4C-B3KE-T Datasheet Pagina 11

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SST39WF1601-90-4I-B3KE-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST39 MPF™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina40µs
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

266MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

500ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

84-TWBGA (8x12.5)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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