SSM6N35AFE,LF
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| Numero parte | SSM6N35AFE,LF |
| PNEDA Part # | SSM6N35AFE-LF |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 30.672 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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SSM6N35AFE Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SSM6N35AFE,LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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SSM6N35AFE Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 10V |
| Potenza - Max | 250mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V Potenza - Max 1.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1464pF @ 25V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 10V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-UDFN (2x2) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 481pF @ 15V, 996pF @ 15V Potenza - Max 1.96W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerLDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8 (Type D) |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
