SSM6L16FETE85LF
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| Numero parte | SSM6L16FETE85LF |
| PNEDA Part # | SSM6L16FETE85LF |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.212 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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SSM6L16FETE85LF Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SSM6L16FETE85LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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SSM6L16FETE85LF Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 0.1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| Potenza - Max | 150mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 (1.6x1.6) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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