SSM6J213FE(TE85L,F
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Numero parte | SSM6J213FE(TE85L,F |
PNEDA Part # | SSM6J213FE-TE85L-F |
Descrizione | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.254 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM6J213FE(TE85L Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SSM6J213FE(TE85L,F |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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SSM6J213FE(TE85L Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | U-MOSVI |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
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