SSM3K36FS,LF
Solo per riferimento
| Numero parte | SSM3K36FS,LF |
| PNEDA Part # | SSM3K36FS-LF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 500MA SSM |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 29.352 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SSM3K36FS Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SSM3K36FS,LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SSM3K36FS,LF Datasheet
- where to find SSM3K36FS,LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36FS,LF
- SSM3K36FS,LF PDF Datasheet
- SSM3K36FS,LF Stock
- SSM3K36FS,LF Pinout
- Datasheet SSM3K36FS,LF
- SSM3K36FS,LF Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- SSM3K36FS,LF Price
- SSM3K36FS,LF Distributor
SSM3K36FS Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIII |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630mOhm @ 200mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 4V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SSM |
| Pacchetto / Custodia | SC-75, SOT-416 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 580mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 8V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46.1pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 510mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN1006-3 Pacchetto / Custodia 3-XFDFN |
Produttore IXYS Serie TrenchP™ Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 740nC @ 10V Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 69500pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS247™ Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 20V Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIV Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
