SS32HE3/57T
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| Numero parte | SS32HE3/57T |
| PNEDA Part # | SS32HE3-57T |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.436 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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SS32HE3/57T Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SS32HE3/57T |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SS32HE3/57T Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 20V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 490mV @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 1.9ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 3.5µA @ 20V Capacità @ Vr, F 25pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 0201 (0603 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore DSN0603-2 Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
