SR309HB0G
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| Numero parte | SR309HB0G |
| PNEDA Part # | SR309HB0G |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO201AD |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.142 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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SR309HB0G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SR309HB0G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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SR309HB0G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 90V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-201AD, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 450mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore TLM833S Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 15V Corrente - Media Rettificata (Io) 150mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.07V @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10pA @ 15V Capacità @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 120A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 120A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 4mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q100/101, CoolSiC™ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 60µA @ 650V Capacità @ Vr, F 303pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3-41 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
