SQJ500AEP-T1_GE3
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| Numero parte | SQJ500AEP-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQJ500AEP-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 24.096 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQJ500AEP-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQJ500AEP-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQJ500AEP-T1_GE3, SQJ500AEP-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 15, Dimensioni: 268,47 KB)
  
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SQJ500AEP-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.1nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 20V |
| Potenza - Max | 48W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
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