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SQ4940AEY-T1_GE3

SQ4940AEY-T1_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQ4940AEY-T1_GE3
PNEDA Part # SQ4940AEY-T1_GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.444
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQ4940AEY-T1_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQ4940AEY-T1_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SQ4940AEY-T1_GE3, SQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 232,71 KB)
PDFSQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet Copertura
SQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 2 SQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 3 SQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 4 SQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 5 SQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 6 SQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 7 SQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 8 SQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 9

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SQ4940AEY-T1_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds741pF @ 20V
Potenza - Max4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-DSO-8

SI3588DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A, 570mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW, 83mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

NTJD4105CT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V, 8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA, 775mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

144mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

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