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SQ4532AEY-T1_GE3

SQ4532AEY-T1_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQ4532AEY-T1_GE3
PNEDA Part # SQ4532AEY-T1_GE3
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.628
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQ4532AEY-T1_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQ4532AEY-T1_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SQ4532AEY-T1_GE3, SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 263,47 KB)
PDFSQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Copertura
SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 2 SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 3 SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 4 SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 5 SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 6 SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 7 SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 8 SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 9 SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 10 SQ4532AEY-T1_GE3 Datasheet Pagina 11

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SQ4532AEY-T1_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Potenza - Max3.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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ON Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA, 350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

Potenza - Max

446mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563F

NVMFD5C470NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.7A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

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Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

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2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

735pF @ 25V

Potenza - Max

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