SQ3985EV-T1_GE3
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| Numero parte | SQ3985EV-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQ3985EV-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.784 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQ3985EV-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQ3985EV-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQ3985EV-T1_GE3, SQ3985EV-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 259,43 KB)
  
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SQ3985EV-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Potenza - Max | 3W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 10V Potenza - Max 700mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2) |
