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SQ1902AEL-T1_GE3

SQ1902AEL-T1_GE3

Solo per riferimento

Numero parte SQ1902AEL-T1_GE3
PNEDA Part # SQ1902AEL-T1_GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.554
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SQ1902AEL-T1_GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSQ1902AEL-T1_GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SQ1902AEL-T1_GE3, SQ1902AEL-T1_GE3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 103,04 KB)
PDFSQ1902AEL-T1_GE3 Datasheet Copertura
SQ1902AEL-T1_GE3 Datasheet Pagina 2 SQ1902AEL-T1_GE3 Datasheet Pagina 3 SQ1902AEL-T1_GE3 Datasheet Pagina 4 SQ1902AEL-T1_GE3 Datasheet Pagina 5 SQ1902AEL-T1_GE3 Datasheet Pagina 6

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SQ1902AEL-T1_GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C780mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs415mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds75pF @ 10V
Potenza - Max430mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SC-70-6 Dual

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SQJ946EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

Potenza - Max

27W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V, 30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

Potenza - Max

4.3W (Ta), 33W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PowerPair® (3.3x3.3)

FDWS9420-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 20V

Potenza - Max

75W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Potenza - Max

48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Diodes Incorporated

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Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

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