SPD50N03S2L06GBTMA1
Solo per riferimento
| Numero parte | SPD50N03S2L06GBTMA1 |
| PNEDA Part # | SPD50N03S2L06GBTMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.544 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SPD50N03S2L06GBTMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SPD50N03S2L06GBTMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SPD50N03S2L06GBTMA1, SPD50N03S2L06GBTMA1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.183,36 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SPD50N03S2L06GBTMA1 Datasheet
- where to find SPD50N03S2L06GBTMA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies SPD50N03S2L06GBTMA1
- SPD50N03S2L06GBTMA1 PDF Datasheet
- SPD50N03S2L06GBTMA1 Stock
- SPD50N03S2L06GBTMA1 Pinout
- Datasheet SPD50N03S2L06GBTMA1
- SPD50N03S2L06GBTMA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- SPD50N03S2L06GBTMA1 Price
- SPD50N03S2L06GBTMA1 Distributor
SPD50N03S2L06GBTMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie AlphaMOS Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1333pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 176mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2030pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Honeywell Aerospace Serie HTMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 5V Vgs (massimo) 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 28V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 50W (Tj) Temperatura di esercizio -55°C ~ 225°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore 4-Power Tab Pacchetto / Custodia 4-SIP |
Produttore ON Semiconductor Serie UltraFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 238nC @ 20V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3790pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13.5A (Ta), 56A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3142pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 37.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3F Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
