SPA11N60C3IN
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Numero parte | SPA11N60C3IN |
PNEDA Part # | SPA11N60C3IN |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.780 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 26 - dic 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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SPA11N60C3IN Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SPA11N60C3IN |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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SPA11N60C3IN Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 33W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-31 Full Pack |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
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