SM8S10AHE3/2E
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| Numero parte | SM8S10AHE3/2E |
| PNEDA Part # | SM8S10AHE3-2E |
| Descrizione | TVS DIODE 10V 17V DO218AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.948 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 26 - dic 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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SM8S10AHE3/2E Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SM8S10AHE3/2E |
| Categoria | Potenza › Protezione del circuito › TVS - Diodi |
| Datasheet |
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SM8S10AHE3/2E Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
| Tipo | Zener |
| Canali unidirezionali | 1 |
| Canali bidirezionali | - |
| Tensione - Standoff inverso (tipico) | 10V |
| Tensione - Guasto (Min) | 11.1V |
| Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp | 17V |
| Corrente - Picco Impulso (10 / 1000µs) | 388A |
| Potenza - Impulso di picco | 6600W (6.6kW) |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| Applicazioni | Automotive |
| Capacità @ Frequenza | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-218AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo - Canali unidirezionali - Canali bidirezionali - Tensione - Standoff inverso (tipico) - Tensione - Guasto (Min) - Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp - Corrente - Picco Impulso (10 / 1000µs) - Potenza - Impulso di picco - Protezione della linea di alimentazione - Applicazioni - Capacità @ Frequenza - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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