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SLA5064

SLA5064

Solo per riferimento

Numero parte SLA5064
PNEDA Part # SLA5064
Descrizione MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 15.174
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SLA5064 Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSLA5064
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SLA5064, SLA5064 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 396,52 KB)
PDFSLA5064 Datasheet Copertura
SLA5064 Datasheet Pagina 2 SLA5064 Datasheet Pagina 3

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SLA5064 Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo FET3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 5A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 10V
Potenza - Max5W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia12-SIP
Pacchetto dispositivo fornitore12-SIP w/fin

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 10V

Potenza - Max

220mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

DMN5L06DMKQ-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

400mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

FDMA1029PZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MicroFET (2x2)

TC6321T-V/9U

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V, 200pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

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-

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