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SKP02N120XKSA1

SKP02N120XKSA1

Solo per riferimento

Numero parte SKP02N120XKSA1
PNEDA Part # SKP02N120XKSA1
Descrizione IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.148
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SKP02N120XKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSKP02N120XKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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SKP02N120XKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6.2A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)9.6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 2A
Potenza - Max62W
Switching Energy220µJ
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge11nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C23ns/260ns
Condizione di test800V, 2A, 91Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

2.85mJ (on), 1.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

385nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

32ns/166ns

Condizione di test

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

85ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IXBT2N250

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

13A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

Potenza - Max

32W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

10.6nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

920ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

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Produttore

IXYS

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 8A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

460µJ (on), 180µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13.3nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/40ns

Condizione di test

450V, 8A, 30Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Potenza - Max

238W

Switching Energy

138µJ (on), 52µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16.4ns/86.4ns

Condizione di test

400V, 10A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31.8ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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Produttore

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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