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SK12BHM4G

SK12BHM4G

Solo per riferimento

Numero parte SK12BHM4G
PNEDA Part # SK12BHM4G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AA
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.712
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SK12BHM4G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSK12BHM4G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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SK12BHM4G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)20V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If500mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr500µA @ 20V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

975mV @ 16A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

VS-41HF80

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 125A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

9mA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 190°C

BAT754,215

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 25V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

LSM835JE3/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

520mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 35V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

DSE010-TR-E

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Produttore

ON Semiconductor

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Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 80V

Capacità @ Vr, F

3pF @ 0.5V, 1MHz

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

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