SJPL-L2VR
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| Numero parte | SJPL-L2VR |
| PNEDA Part # | SJPL-L2VR |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 3A SJP |
| Produttore | Sanken |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.822 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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SJPL-L2VR Risorse
| Brand | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SJPL-L2VR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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SJPL-L2VR Specifiche
| Produttore | Sanken |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 2-SMD, J-Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SJP |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Comchip Technology Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 930mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 8.2pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 2010 (5025 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore 2010 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 20A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F 866pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 85V Corrente - Media Rettificata (Io) 215mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5nA @ 75V Capacità @ Vr, F 1.5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-923 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-923 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 15V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 350mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 4mA @ 15V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore SMC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
