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SJPB-D9V

SJPB-D9V

Solo per riferimento

Numero parte SJPB-D9V
PNEDA Part # SJPB-D9V
Descrizione DIODE SCHOTTKY 90V 1A SJP
Produttore Sanken
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.862
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SJPB-D9V Risorse

Brand Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSJPB-D9V
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
SJPB-D9V, SJPB-D9V Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 250,13 KB)
PDFSJPB-D9 Datasheet Copertura
SJPB-D9 Datasheet Pagina 2 SJPB-D9 Datasheet Pagina 3 SJPB-D9 Datasheet Pagina 4 SJPB-D9 Datasheet Pagina 5 SJPB-D9 Datasheet Pagina 6

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SJPB-D9V Specifiche

ProduttoreSanken
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)90V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If850mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 90V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia2-SMD, J-Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreSJP
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

RU 2AMV1

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1.1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

400ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

1N5830R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

25V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 25A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-4

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

V10150S-M3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

BYT71-800

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 6A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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